Infineon HiRel- 650V strahlungsfeste Power MOSFETs

Infineon HiRel bietet zwei neue strahlungsfeste Power MOSFETs: BUY65CS08J-01(ES) & BUY65CS28A-01(ES). Beide besitzen eine extrem niedrige RDSon bei einer solch hohen Spannung. Zudem sind sie strahlungsfest mit einer Gesamtdosis ionisierender Strahlung von 100kRad und einem SEE von LET90. Außerdem sind sie ESCC qualifiziert und auf der ESA QPL.

Eigenschaften der beiden MOSFETs:

• niedrige RDS(on)
• Single Event Effect (SEE)
  LET 90, Range: 122μm (Pb)          LET 62, Range: 73μm (Xe)
  VGS = -10V, VDS = 650V                   VGS = -15V, VDS = 650V
  VGS = -12V, VDS = 350V                   VGS = -20V, VDS = 350V

• Gesamtdosis ionisierender Strahlung: 100 kRad (Level R)
• Hermetisch verschlossen
• N-channel

Eigenschaften des BUY65CS08J-01(ES):

• Strom: 8A
• RDSon: 450MOhm
• Space qualifiziert
  ESCC Detail Spec. Nr.: 5205/033
  Type Variant Nr. 01

 Eigenschaften des BUY65CS28A-01(ES):

• Strom: 28A
• RDSon: 150MOhm
• Space Qualified
  ESCC Detail Spec. Nr.: 5205/033
  Typ Variante Nr. 02