IR – R9 strahlungsfeste MOSFET Technologie (11/2021)

Höhere Performance & Effizienzen mit geringem Designrisiko für Raumfahrtapplikationen

Die neue R9 „Superjunction“ Technologieplattform von International Rectifier HiRel (IR HiRel) bietet bemerkenswerte Verbesserungen bezüglich Größe, Gewicht und Leistung gegenüber vorigen strahlungsfesten MOSFET Generationen. Sie liefert nicht nur bessere Performance, sondern auf Effizienzen mit dem bekannten Silikon-Gate-Drive-Setup.
Ein einfacher Drop-in ermöglicht die R9 Serie mit einem höheren Maß an Designzuverlässigkeit in Mehrfach-Anwendungen sowie Wirkungsgradverbesserungen in Ihrer Schaltung.
Die R9 Serie bewirkt ein geringeres Risiko für höhere Leistungssysteme der Raumfahrtindustrie mit höherer Performance und höherer Systemzuverlässigkeit.

IRs N- und P-Channel R9 MOSFETs bieten zahlreiche Optionen für Hi-Rel Applikationen:

• Space Grade DC/DC Konverter
• Zwischenbus-Konverter
• Motorkontroller
• Andere Hochgeschwindigkeits-Schaltdesigns
• Überladungsschutz-Schalten
• High-side, niedrige Frequenzlastschaltung
• Schaltkreise, die einen linearen Betriebsmodus erfordern