International Rectifier – Strahlungsfester, oberflächenmontierbarer Leistungs-MOSFET (SupIR-SMD)

Die IR HiRel R5 Technologie liefert Leistungs-MOSFETs mit hoher Performance für Raumfahrtapplikationen. Diese sind für eine Gesamtdosierung und einem Single Event Effect (SEE) mit einer Leistung von bis zu LET 80 (MeV/(mg/cm2) charakterisiert. Die Kombination aus einem niedrigen RDS(on) und einer niedrigen Gate-Ladung reduziert Leistungsverluste in Schaltapplikationen wie DC/DC Konvertern und Motorreglern. Die Serie besitzt alle gutetablierten Vorteile von MOSFETs. Dazu zählen unter anderem Spannungskontrolle sowie schnelle Schalt- und Temperaturstabilität von elektrischen Parametern.

 Eigenschaften

• Single Event Effect (SEE) gehärtet
• Niedriger RDS(on)
• Niedrige Gesamt-Gate-Ladung
• Einfache Antriebsanforderungen
• Hermetisch verschlossen
• Keramikgehäuse
• Leichtes Gewicht
• Oberflächenmontierbar
• ESD Rating: Klasse 3A MIL-STD-750, Methode 1020