Infineon – Strahlungstolerante N-CH-MOSFETs (05/2024)

Für Anwendungen und Konstellationen im niedrigen Erdorbit (LEO) entwickelt, sind Infineons neue strahlungsresistente Leistungsprodukte ideal für Missionen mit Lebensdauern zwischen zwei und fünf Jahren. Die neue Produktfamilie umfasst kunststoffgekapselte n-Kanal-MOSFETs, die von Haus aus strahlungsresistent sind. Sie sollen wichtige Funktionen einer LEO-Satellitenbusplattform und Nutzlastoperationen unterstützen. Die strahlungsresistenten Leistungs-FETs basieren auf Infineons verbesserter CoolMOS™-Technologie, sind gemäß AEC-Q100 qualifiziert und verwenden einen ausgereiften Hochvolumenproduktionsprozess. Die Produkte sind in SMD- oder Durchsteckgehäusen erhältlich.

Wichtige Merkmale:

• Kunststoffgekapselte Verpackung
• AEC-Q101 qualifiziert
• Gesamtdosis 30 kRads(Si)
• SEE-gehärtet bis zu 46 MeV∙cm²/mg
• Keine Wafer-Los- oder Komponentenrückverfolgbarkeit

Zielanwendungen:

• Stromversorgungseinheit
• Stromverteilungseinheit
• DC-DC-Wandler

150V Strahlungstolerante Leistungs-MOSFETs

• BUP15CN060L-01   Gehäuse: D2PAK (TO263)
• BUP15CN027E-01   Gehäuse: TO-247

60V Strahlungstolerante Leistungs-MOSFETs

• BUP06CN035L-01   Gehäuse: D2PAK (TO263)
• BUP06CN015E-01   Gehäuse: TO-247