Micross – Neue STT-MRAM-Dichten und CGA-Optionen (01/2024)

Micross erweitert sein Angebot an hermetischen und QED Space-Grade Spin Torque Transfer MRAM-Bausteinen um 4Gb- und 16Mb-Dichten mit Level-2-PEM-Gehäuseoptionen.

Für Kunden aus dem Weltraum, die nach zusätzlicher Zuverlässigkeit und Robustheit suchen, hat Micross sein Angebot an weltraumtauglichen STT-MRAMs um eine Column Grid Array (CGA)-Option für die 4Gb- und 1Gb-Keramikbausteine erweitert. CGA ist eine Verbindungstechnologie für hochzuverlässige Anwendungen, die thermische und mechanische Belastungen mildert und eine bessere Leistung als Standard-BGA-Verbindungen ermöglicht.

Micross STT-MRAM erweitert sein Angebot um eine Column Grid Array (CGA)-Option für die 4Gb- und 1Gb-Keramikbausteine.