International Rectifier- strahlungsfester Feldeffekt-Transistor für Raumfahrtanwendungen mit den Qualitätslevel JANTXV und JANS
Diese Spezifizierung ist für alle Abteilungen und Agenturen des Departments of Defense zugelassen. Sie beinhaltet die Leistungsanforderungen für einen strahlungsfesten N-Kanal Leistungs-MOSFET für höhere Anwendungen (Gesamtdosierung und Single Event Effects (SEE)). Die beiden Screeninglevels JANTXV und JANS werden für jeden hermetisch dichten MOSFET angeboten. Vorrichtungen für Radiation Hardness Assurance (RHA) für zwei Strahlungslevel (R und F) sind für JANTXV und JANS vorhanden.
Die Gehäuse sind wie folgt: TO-257AA(T3), ein modifiziertes TO-257AA (D5) ohne Kühlfahne und ein oberflächenmontiertes TO-276AA (U3, U3C) mit oder ohne Keramiklid.