Infineon – NPN Silicon RF Transistor

HiRel Diskrete und Mikrowellen-Halbleiter

• Für rauscharme Hochleistungsverstärker
• Für Oszillatoren bis zu 10 GHz
• Rauschzahl F = 1,1 dB bei 1,8 GHz
  Ausstehende Gms = 21 dB bei 1,8 GHz
• Hermetisch verschlossenes Mikrowellengehäuse
• Transition Frequenz = 22 GHz