Infineon – HiRel RadHard Power-MOSFETs

Infineons RadHard Power-MOSFETs sind durch die
folgenden Spezifizierungen charakterisiert:

 

BUY65CS08J-01

  • niedriger RDS(on)
  • Single Event Effect (SEE)

LET 62, Range: 73μm (Xe)               LET 90, Range: 122μm (Pb)

VGS = -15V, VDS = 650V                      VGS = -10V, VDS = 650V

VGS = -20V, VDS = 300V                      VGS = -12V, VDS = 300V

  • Gesamtionisierungsdosis (TID): 100 kRad (Level R)
  • Gehäuse SMD-0.5
    · Contiunous Drain Current ID = 8A at Tc = 25°C
  • Hermetisch verschlossen
  • N-channel

 

BUY65CS28A-01

  • niedriger RDS(on)
  • Single Event Effect (SEE)

LET 62, Range: 73μm (Xe)               LET 90, Range: 122μm (Pb)

VGS = -15V, VDS = 650V                      VGS = -10V, VDS = 650V

VGS = -20V, VDS = 300V                      VGS = -12V, VDS = 300V

  • Gesamtionisierungsdosis (TID): 100 kRad (Level R)
  • Gehäuse SMD-2
    · Contiunous Drain Current ID = 28A at Tc = 25°C
  • Hermetisch verschlossen
  • N-channel

 

Samples sind verfügbar. Auch die Infineon qualifizierte Flight Devices sind verfügbar.