EPC Space – Strahlungsharter eGaN®-Transistor für die Raumfahrt (03/2025)
Mit dem EPC7003ASH bringt EPC Space ein hochmodernes Leistungshalbleiterbauteil auf den Markt, das speziell für raue Weltraumbedingungen entwickelt wurde. Der auf der eGaN®-Technologie (enhanced Gallium Nitride) basierende Transistor kombiniert hohe Schaltgeschwindigkeit, extreme Strahlungsresistenz und kompakte Bauweise – ideal für Anwendungen in Satelliten, Avioniksystemen und Deep-Space-Missionen.
Technologische Highlights
Der EPC7003ASH ist ein oberflächenmontierbarer (FSMD-A) Transistor mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 100 V und einem kontinuierlichen Drainstrom von 10 A. Sein besonders niedriger Einschaltwiderstand (typisch 42 mΩ) in Kombination mit extrem niedriger Gate-Ladung (nur 2,2 nC) ermöglicht hochfrequente Schaltvorgänge mit exzellenter Effizienz – ein entscheidender Vorteil in platz- und energiekritischen Raumfahrtsystemen.
Dank seiner lateralen Struktur zeichnet sich der Baustein durch minimale parasitäre Effekte und schnelle Ansprechzeiten aus. Die geringe Baugröße (nur 0,068 g) spart wertvollen Platz und Gewicht – beides essenziell im Satellitenbau.
Strahlungshärtung nach Raumfahrtstandards
Ein besonderes Augenmerk liegt auf der Strahlungsresistenz: Der EPC7003ASH ist sowohl gegenüber Total Ionizing Dose (TID) bei niedriger und hoher Dosisleistung als auch gegenüber Single Event Effects (SEE) gehärtet. Er widersteht Ionendosen mit einem Linear Energy Transfer (LET) von bis zu 83,3 MeV/(mg/cm²) – selbst bei 100 % der spezifizierten Betriebsspannung. Zudem bleibt das Bauteil bis zu einer Neutronenbelastung von 4×10¹⁵ Neutronen/cm² funktionsfähig.
Typische Einsatzbereiche
Der EPC7003ASH eignet sich für verschiedenste Hochzuverlässigkeitsanwendungen, darunter:
- Rad-hard DC/DC-Wandler mit hoher Effizienz
- Elektronische Antriebssteuerungen in Raumfahrtsystemen
- Stromversorgungen in Satelliten
- Komponenten für Deep-Space-Sonden, bei denen absolute Zuverlässigkeit unter extremen Bedingungen gefordert ist
Kompakt und zuverlässig
Das hermetisch gekapselte FSMD-A-Gehäuse schützt nicht nur vor Umwelteinflüssen, sondern erleichtert auch die Integration in bestehende Designs. Die elektrische Anbindung erfolgt über vier Pins (Gate, Drain, Source Sense, Source), wobei die „Source Sense“-Funktion die präzise Steuerung des Gates unterstützt.
Der EPC7003ASH ist ein Musterbeispiel für die Synergie aus moderner Halbleitertechnologie und robuster Raumfahrttauglichkeit. Mit seinen exzellenten elektrischen Eigenschaften, hoher Strahlungsfestigkeit und kompakter Bauform bietet er Systementwicklern eine verlässliche Lösung für anspruchsvolle Einsatzgebiete – vom geostationären Satelliten bis zur interplanetaren Mission.
