IR – Strahlungsfester Power MOSFET Surface Mount (IRHNM9A7129)
IR veröffentlicht den IRHNM9A7120.
Dieser ist der R9, 100V MOSFET in einem SMD 0,2 Gehäuse. Dies ist das neueste Produktrelease des R9 RadHard MOSFETs. Das Bauteil ist auf 23A mit einer RDSon von nur 55mOhms spezifiziert und in 100k sowie 300kRad Versionen verfügbar.
Die Teilenummer für die Keramikdeckel Version lautet: IRHNMC9A7120.
Features:
- Niedrige RDS(on)
- Schnelles Schalten
- Single Event Effect (SEE) Hardened
- Niedrige Gesamt-Gate-Ladung
- Einfache Antriebsanforderungen
- Hermetisch verschlossen
- Keramikgehäuse
- Leichtes Gewicht
- Surface Mount
- ESD Rating: Klasse 1C MIL-STD-750, Methode 1020