IR – Strahlungsfeste Power MOSFETs

Die IR HiRel R6 S-Linien-Technologie liefert High Performance Power MOSFETs für Space Applikationen. Diese Bauteile wurden sowohl für Total Dose als auch Single Event Effect (SEE) mit einer Performance bis zu LET von 60 (MeV/(mg/cm2) charakterisiert. Die Kombination aus niedrigem RDS(on) und niedriger Gate-Ladung reduziert die Leistungsverluste in Schaltapplikationen wie DC/DC Konverter und Motorkontrollern. Diese Bauteile beinhalten alle gut etablierten Vorteile von MOSFETs wie beispielsweise Spannungskontrolle, schnelles Umschalten oder die Temperaturstabilität von elektrischen Parametern.

Verschiedene Gehäuseformen:

IRHF6S7230 im TO-39 Gehäuse

IRHMB6S7260 im Tabless_TO-254AA Gehäuse

IRHMS6S7260 im Low-Ohmic_TO-254AA Gehäuse

IRHMS6S7264 im Low-Ohmic_TO-254AA Gehäuse

IRHNA6S7260 im SMD-2 Gehäuse

IRHNJ6S7130  im SMD-0.5 Gehäuse

IRHNJ6S7230 im SMD-0.5 Gehäuse

IRHYS6S7130CM im Low Ohmic – TO-257AA Gehäuse

IRHYS6S7230CM im Low Ohmic – TO-257AA Gehäuse

Bitte laden Sie die entsprechenden Datenblätter herunter, um die verschiedenen Spezifizierungen zu sehen.