Infineon – Hi-Rel strahlungsfester Power MOSFET

Infineons neuer strahlungsfester Power MOSFET für den Hi-Rel Bereich bietet folgende Eigenschaften:

  • Niedriges RDS(on)
  • Single Event Effect (SEE)
    • LET 90, Range: 122μm (Pb) LET 62, Range: 73μm (Xe)
    • VGS = -10V, VDS = 650V VGS = -15V, VDS = 650V
    • VGS = -12V, VDS = 350V VGS = -20V, VDS = 350V
  • Gesamtstrahlungsdosis (TID) 100 kRad (Level R)
  • Hermetisch verschlossen
  • N-channel Topologie

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