Infineon – Hi-Rel Silizium-Bipolartransistoren: Unübertroffene Zuverlässigkeit für kritische Anwendungen (05/2024)

Infineon Technologies, einer der führenden Anbieter von Halbleiterlösungen, bietet eine bemerkenswerte Palette von hochzuverlässigen (Hi-Rel) Silizium-Bipolartransistoren, die für anspruchsvolle RF- und Mikrowellenanwendungen entwickelt wurden. Bekannt für ihre herausragende Leistung und Zuverlässigkeit, sind diese Transistoren in hermetisch abgedichteten Keramikgehäusen verpackt, was einen robusten Betrieb in rauen Umgebungen gewährleistet und sie ideal für Luft- und Raumfahrtanwendungen macht.

Technologische Vielseitigkeit und fortschrittliches Design

Die Hi-Rel Silizium-Bipolartransistoren von Infineon umfassen verschiedene Generationen von RF-Mikrowellentechnologien, von traditionellen Silizium- (Si) bis hin zu Silizium-Germanium- (SiGe) basierten Geräten. Diese Produktpalette deckt unterschiedliche Spannungsklassen, Frequenzbereiche und Ausgangsleistungen ab und demonstriert Infineons umfangreiche Expertise in der Mikrowellen-Bipolartransistortechnologie. Diese Transistoren sind darauf ausgelegt, hohe Leistung zu liefern, einschließlich geringer Rauschwerte und hoher Verstärkung, die für Breitbandverstärker unerlässlich sind.

Breite Anwendungsbereiche und robuste Qualitätssicherung

Die Transistoren sind in verschiedenen Qualitätsstufen erhältlich: Professional (P) für Engineering-Module und vorläufige Schaltungsbewertungen und ESCC-qualifiziert (ES) für kritische Flugmodule, die den Standards der Europäischen Weltraumorganisation (ESA) entsprechen. Diese strengen Qualifikationen gewährleisten, dass die Transistoren von Infineon die hohen Zuverlässigkeitsanforderungen erfüllen, die in der Luft- und Raumfahrtindustrie erforderlich sind.

Hervorragende Leistung unter verschiedenen Bedingungen

Ein herausragendes Produkt im Hi-Rel-Portfolio von Infineon ist der BFY740B-02(ES) Mikrowellentransistor. Dieses Gerät exemplifiziert die hervorragende Rauschleistung und Zuverlässigkeit, für die die Transistoren von Infineon bekannt sind, mit einem herausragenden Rauschmaß von 0,65 dB bei 1,8 GHz und beeindruckenden Werten von 1,05 dB bei 6 GHz, 1,50 dB bei 10 GHz und 1,60 dB bei 12 GHz. Solch niedrige Rauschwerte sind entscheidend für die Verbesserung der Signalqualität und der Gesamtleistung von RF-Systemen.

Ideal für kritische Luft- und Raumfahrtanwendungen

Die hochzuverlässigen RF-Mikrowellentransistoren von Infineon, einschließlich des BFY740B-02(ES), sind darauf ausgelegt, in einem breiten Bereich von Kollektorströmen zu arbeiten, was ihre Eignung für verschiedene Verstärkerdesigns sicherstellt. Diese Transistoren sind nicht nur ideal für Anwendungen mit niedrigem Rauschen und hoher Verstärkung, sondern auch in der Lage, den strengen Bedingungen von Weltraumumgebungen standzuhalten, dank ihrer ESA-Weltraumqualifikation.

Zusammenfassend bieten die Hi-Rel Silizium-Bipolartransistoren von Infineon unübertroffene Zuverlässigkeit und Leistung für kritische Luft- und Raumfahrtanwendungen. Ihre fortschrittliche Technologie in Verbindung mit strengen Qualitätsstandards stellt sicher, dass sie unter den anspruchsvollsten Bedingungen außergewöhnliche Ergebnisse liefern.