Infineon – Halbbrücken-DC-DC-Leistungswandlungs-Demo-Plattformen für New Space (05/2024)

Zur einfachen Bewertung der neuen strahlungsresistenten Leistungsprodukte von Infineon sind zwei Typen von Evaluierungsboards  erhältlich, die den beiden Spannungsklassen der Leistungs-MOSFETs, 60V und 150V, entsprechen. Die Boards verfügen über ein Open-Loop-Design mit externer PWM und einer Totzeit-Generierungsschaltung. Sie sind mit zwei entsprechenden MOSFETs in Halbbrückenkonfiguration, einem Standard-Gate-Treiber-IC, 2ED21844S06J, und den erforderlichen Anschlüssen ausgestattet.

Infineons Halbbrücken-DC-DC-Leistungswandlungs-Demo-Plattformen sind ein hervorragendes Beispiel für die Leistungsfähigkeit und Vielseitigkeit ihrer strahlungsresistenten Power-FETs, die speziell für die anspruchsvollen Anforderungen moderner Raumfahrtanwendungen entwickelt wurden.

EVAL1_BUP_15N beinhaltet

• (2) 150 V strahlungsresistente FETs, BUP15CN060L-01
• 650 V Halbbrücken-Gate-Treiber mit integriertem Bootstrap-Dioden, 2ED21844S06J

EVAL1_BUP_06N beinhaltet

• (2) 60 V strahlungsresistente FETs, BUP06CN035L-01
• 650 V Halbbrücken-Gate-Treiber mit integriertem Bootstrap-Dioden, 2ED21844S06J

Hauptanwendungen

• Solarzellen-Leistungsregelung
• Elektrische Antriebssysteme
• Leistungsmanagement für Satelliten-Nutzlasten