Infineon – ESCC qualifizierter Hersteller von Dioden und Transistoren

HiRel Radiation Hard PowerMOS Transistor

Basierend auf der einzigartigen Infineon CoolMOS™uperjunction Technologie, stellen die strahlungsfesten PowerMOS Transistoren einen weltweiten Maßstab bezüglich Strahlungsfestigkeit und elektrischer Performance dar. Die TID Festigkeit ist mit bis zu 100krad (300krad auf Anfrage) spezifiziert und SEE wurde bei bis zu LET62 mit Xe und LET95 mit Blei-Ionen getestet.

Mit der extrem niedrigen spezifischen RDS(ON) und dem sicheren Betriebsbereich (SOA) bezüglich SEE bietet Infineon einen der besten strahlungsfesten PowerMOS Transistoren für alle möglichen Raumfahrtapplikationen.

Die Produktrange umfasst einen Spannungsbereich von 60V bis zu 650V in 4 verschiedenen Gehäusen.

Alle strahlungsfeste PowerMOS Transistoren sind auch als qualifizierte Bare Dies verfügbar.

 

HiRel Silizium Dioden 

Infineon bietet HiRel Schottky und PIN-Dioden in hermetisch verschlossenen Gehäusen mit Komponentenscreening gemäß den Anforderungen im Raumfahrtbereich.

Die Bauteile sind in verschiedenen Qualitätslevel verfügbar:
Professional (P) für Engineering Module und ESCC (ES) für Flugmodule (die Anforderungen der European Space Agency werden erfüllt).

Auf Anfrage sind auch kundenspezifische Qualitätslevel möglich.

 

HiRel Bipolare Silizium Transistor

Die Micro Wave (MW) Transistoren von Infineon werden hier als HiRel Komponenten in hermetisch verschlossenen Gehäusen verwendet. Die Produktrange deckt alle Generationen der RF-Transistoren von Infineon ab. Bipolare Transistoren mit verschiedenen Spannungsklassen, Frequenzbereichen und Ausgangsleistungen sind verfügbar und basieren auf Infineons zuverlässiger bipolaren Technologie.

Die bipolaren Transistoren sind in verschiedenen Qualitätslevel verfügbar:
Professional (P) für Engineering Module und ESCC (ES) für Flugmodule (die Anforderungen der European Space Agency werden erfüllt).

Auf Anfrage sind auch kundenspezifische Qualitätslevel möglich.