IR / Infineon – Verbesserte strahlungsfeste MOSFETs für missionskritische Raumfahrtapplikationen

Logo_IRF-HiRel_4CIR / Infineon veröffentlicht ihre ersten strahlungsfesten MOSFETs, die auf der eigenen N-Channel R9 Technologieplattform basieren. Im Vergleich zu vorigen Technologien wurden die MOSFETs hinsichtlich Größe, Gewicht und Leistung verbessert. Dies ist für Systeme wie high-throughput Satelliten, bei denen die Kostenquote drastisch reduziert werden kann, extrem  wichtig. Die 100V, 35 A MOSFETs sind für missionskritische Applikationen, die eine Betriebsdauer von mehr als 15 Jahren erfordern, ideal geeignet. Zielapplikationen beinhalten  Raumfahrt klassifizierte DC/DC Konverter, Zwischenbuswandler, Motorregler und andere high speed Schaltungsdesigns.

Die IRHNJ9A7130 und IRHNJ9A3130 sind voll spezifiziert für TID Immunität gegenüber Strahlungen von 100kRads und 300kRads. Die R DS(on) von 25 mΩ ist 33 Prozent niedriger als die vorheriger Generationen. In Kombination mit einer verbesserten drain current Kapazität (35A vs. 22A) sorgt dies dafür, dass die MOSFETS eine höhere Leistungsdichte und reduzierte Leistungsverluste in Schaltungsapplikationen liefern können.

Die MOSFETS besitzen außerdem eine verbesserte Single Event Effect (SEE) Immunität und wurden für einen nützlichen Linear Energy Transfer (LET) bis zu 90MeV/(mg/cm²) charakterisiert. Die neuen MOSFETs sind in einem hermetisch verschlossenem, leichten, Surface Mount Keramikgehäuse (SMD-0.5), das die Maße 10,28mm x 7,64mm x 3,12mm besitzt, verbaut.  Sie sind auch als bare die form erhältlich.

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