Hi-Rel RF Radiation Hardened MOSFETs

International Rectifer, eine Infineon Technologies Company, liefert Hi-Rel RF Radiation Hardened MOSFETs für den Raumfahrt-Bereich. Die Rad-Hard & Hermetisch dichten RF MOSFETs eignen sich ideal für Space Applikationen sowie Anwendungen im Satelliten Bereich und für Launch Vehicles. Die Hi-Rel RF Radiation Hardened MOSFETs sind von der Defense Logistics Agency (DLA), Land and Maritime zertifiziert. Durch das Radiation Hardness Assurance Programm (RHA) von IR wird die Radiation Strahlungsfestigkeit garantiert. Die Hi-Rel RF Radiation Hardened MOSFETs können mit dem höchsten Space Screening Level geliefert werden.

Hi-Rel RF Radiation Hardened MOSFETs

Hoher LET Wert der Hi-Rel RF Radiation Hardened MOSFETs

Die Hi-Rel RF Radiation Hardened MOSFETs haben sich hinsichtlich der Strahlungsfestigkeit gegenüber dem Single Event Effect (SEE) bewährt und werden für eine nützliche Leistungsfähigkeit mit einem Linear Energy Transfer (LET) Wert bis zu 90MeV / (mg/cm²) hergestellt.

Sehr niedriger RDS(on) Wert der Hi-Rel RF Radiation Hardened MOSFETs

Die Kombination des sehr niedrigen RDS(on) Wertes mit den schnellen Schaltgeschwindigkeiten verringern die Verlustleistung und maximieren die Leistungsdichte in den heutigen hochgeschwindigkeitsschaltenden Applikationen wie zum Beispiel DC/DC Konverter und Motor Kontroller. Die Radiation Hardened MOSFETS beinhalten all die bereits etablierten Vorteile von Standard MOSFETs, wie Spannungskontrolle sowie die Vereinfachung von anpassender Temperaturstabilität der elektrischen Kenndaten.

Hohe Single Event Effect (SEE) Werte

Die N-Kanal und P-Kanal MOSFETs sind latch-up und Single Event Upset (SEU) immun und weisen einen hervorragenden Total Dose Irradiation Wert von bis zu 500 Krad(Si) auf. Die Hi-Rel RF Radiation Hardened MOSFETs von International Rectifier/Infineon sind in heavy ion Umgebungen für die Single Event Effect (SEE) Werte charakterisiert worden. Jedes Hersteller Los wurde auf Total Ionizing Dose (TID) getestet. Die Prä- und Post-Irradiation Leistungsfähigkeiten wurden unter denselben Schaltungs- und Testbedingungen spezifiziert und geprüft, um einen direkten Vergleich zu ermöglichen.

Lieferbare Gehäusevarianten

Die hermetisch dichten Hi-Rel RF Radiation Hardened MOSFETs werden in verschiedenen Keramik Gehäusevarianten angeboten. Lieferbar sind sowohl Surface Mount Produkte als auch Through Hole Produkte. Through Hole Produkte werden in folgenden Gehäuseformen angeboten: TO-39, TO-254AA, TO-257AA, TO-258AA, TO-259AA und CerDIP-16. Moderne Surface Mount Gehäusevarianten wie zum Beispiel LCC-3, LCC-18, LCC-28, SMD-0.2, SMD-0.5, SMD-1, SMD-2, SMD-3 und 14pin Flatpack runden das Herstellerprogramm ab. Durch die kleinen Surface Mount Gehäusetypen SMD-0.2 und SMD-0.5 kommt es zu einer extremen Gewichtsreduzierung, die für den Satelliten Bereich unerlässlich und von entscheidender Bedeutung ist. Die Hi-Rel RF Radiation Hardened MOSFETs sind für einen Arbeitstemperaturbereich von -55 bis +150°C spezifiziert.

Vielseitige Heritage Erfahrungen

Die heutigen Aerospace und Defense Anwendungen stellen die Systemdesigner vor eine große Herausforderung. Von der Space Hardware wird verlangt, dass sie in extremsten Umweltbedingungen, inklusive hoher Strahlungsfestigkeit, fehlerfrei arbeitet. Daher werden Hi-Rel RF Radiation Hardened MOSFETs in Raumfahrt Anwendungen verwendet. International Rectifier/Infineon stellen sich dieser Herausforderung bereits seit mehr als 20 Jahren erfolgreich und bieten ein breites Produktspektrum von Hi-Rel RF und Power Radiation Hardened MOSFETs an.